EGL41D-E3/97

EGL41D-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division


egl41.pdf Виробник: Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
на замовлення 5209 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
9+36.05 грн
12+ 27.09 грн
100+ 16.26 грн
500+ 14.13 грн
1000+ 9.61 грн
2000+ 8.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис EGL41D-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass), Mounting Type: Surface Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 1A, Supplier Device Package: DO-213AB, Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.

Інші пропозиції EGL41D-E3/97

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
EGL41D-E3/97 EGL41D-E3/97 Виробник : Vishay General Semiconductor egl41-1147407.pdf Rectifiers 200 Volt 1.0A 50ns Glass Passivated
на замовлення 7004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
EGL41D-E3/97 EGL41D-E3/97 Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division egl41.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DO213AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-213AB, MELF (Glass)
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 50 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 1A
Supplier Device Package: DO-213AB
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товар відсутній