EFC4627R-TR onsemi
![ena2288-d.html](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET 2N-CH 12V 6A 4EFCP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.4W
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive
Supplier Device Package: 4-EFCP (1.01x1.01)
Part Status: Active
на замовлення 7733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
11+ | 28.65 грн |
14+ | 21.42 грн |
100+ | 12.85 грн |
500+ | 11.16 грн |
1000+ | 7.59 грн |
2000+ | 6.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис EFC4627R-TR onsemi
Description: MOSFET 2N-CH 12V 6A 4EFCP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 4-SMD, No Lead, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 1.4W, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Supplier Device Package: 4-EFCP (1.01x1.01), Part Status: Active.
Інші пропозиції EFC4627R-TR за ціною від 7.35 грн до 35.77 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
EFC4627R-TR | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 10695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
EFC4627R-TR | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 11763 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
EFC4627R-TR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
|
EFC4627R-TR | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.4W Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.4nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 2.5V Drive Supplier Device Package: 4-EFCP (1.01x1.01) Part Status: Active |
товар відсутній |