Продукція > ONSEMI > ECH8308-TL-H
ECH8308-TL-H

ECH8308-TL-H onsemi

ech8308-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8ECH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 6 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+23.75 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис ECH8308-TL-H onsemi

Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8ECH, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SMD, Flat Lead, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Supplier Device Package: 8-ECH, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 6 V.

Інші пропозиції ECH8308-TL-H за ціною від 24.1 грн до 62.57 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
ECH8308-TL-H ECH8308-TL-H Виробник : onsemi ech8308-d.pdf Description: MOSFET P-CH 12V 10A 8ECH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SMD, Flat Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.5mOhm @ 5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: 8-ECH
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 6 V
на замовлення 3015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+62.57 грн
10+ 52.2 грн
100+ 36.12 грн
500+ 28.32 грн
1000+ 24.1 грн
Мінімальне замовлення: 5
ECH8308-TL-H ECH8308-TL-H Виробник : ON Semiconductor ECH8308-D-1803560.pdf MOSFET SWITCHING DEVICE
на замовлення 4079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
ECH8308-TL-H Виробник : ON Semiconductor 1011ech8308-d.pdf Trans MOSFET P-CH Si 12V 10A 8-Pin ECH T/R
товар відсутній