DTC143TM3T5G ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - DTC143TM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 600mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 500+ | 2.98 грн |
| 8000+ | 2.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC143TM3T5G ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC143TM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 600mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DTC143TM3T5G за ціною від 2.21 грн до 26.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTC143TM3T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC143TM3T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC143TM3T5G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 600mW Bauform - Transistor: SOT-723 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 9535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC143TM3T5G | Виробник : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-723 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 260 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms |
на замовлення 12865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC143TM3T5G | Виробник : onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 15009 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DTC143TM3T5G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC143TM3T5G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 660547 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
DTC143TM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DTC143TM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DTC143TM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DTC143TM3T5G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 600mW 3-Pin SOT-723 T/R |
товар відсутній |