DTC143TET1G

DTC143TET1G ON Semiconductor


dtc114eet1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12000+1.33 грн
Мінімальне замовлення: 12000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC143TET1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - DTC143TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-75, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTC143TET1G за ціною від 1.38 грн до 13.54 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTC143TET1G DTC143TET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114eet1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12000+1.51 грн
24000+ 1.38 грн
Мінімальне замовлення: 12000
DTC143TET1G DTC143TET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114eet1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7390+1.63 грн
24000+ 1.48 грн
Мінімальне замовлення: 7390
DTC143TET1G DTC143TET1G Виробник : ONSEMI dtc143t-d.pdf Description: ONSEMI - DTC143TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+1.88 грн
3000+ 1.4 грн
Мінімальне замовлення: 500
DTC143TET1G DTC143TET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114eet1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5814+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 5814
DTC143TET1G DTC143TET1G Виробник : onsemi dtc143t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 66000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.27 грн
6000+ 2.07 грн
9000+ 1.76 грн
30000+ 1.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DTC143TET1G DTC143TET1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013775474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - DTC143TET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 160hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7009 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
91+8.66 грн
121+ 6.47 грн
223+ 3.51 грн
500+ 1.81 грн
3000+ 1.4 грн
Мінімальне замовлення: 91
DTC143TET1G DTC143TET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114eet1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
67+8.96 грн
89+ 6.75 грн
90+ 6.69 грн
92+ 6.32 грн
160+ 3.34 грн
250+ 3.17 грн
500+ 1.9 грн
Мінімальне замовлення: 67
DTC143TET1G DTC143TET1G Виробник : onsemi DTC143T_D-2310749.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 226592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+9.81 грн
45+ 7.2 грн
100+ 3.89 грн
1000+ 2.36 грн
3000+ 1.74 грн
9000+ 1.53 грн
24000+ 1.39 грн
Мінімальне замовлення: 34
DTC143TET1G DTC143TET1G Виробник : onsemi dtc143t-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 68970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13.54 грн
33+ 8.98 грн
100+ 4.84 грн
500+ 3.57 грн
1000+ 2.48 грн
Мінімальне замовлення: 23
DTC143TET1G DTC143TET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114eet1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DTC143TET1G Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0002241980-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - DTC143TET1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 38602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15000+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 15000
DTC143TET1G Виробник : ON Semiconductor dtc143t-d.pdf
на замовлення 5879 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DTC143TET1G DTC143TET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114eet1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній
DTC143TET1G DTC143TET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114eet1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній
DTC143TET1G DTC143TET1G Виробник : ON Semiconductor dtc114eet1-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товар відсутній