DTC143TCAHZGT116 Rohm Semiconductor
![dtc143tcahzg-e.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1418+ | 8.5 грн |
1467+ | 8.22 грн |
2500+ | 7.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC143TCAHZGT116 Rohm Semiconductor
Description: NPN 100MA 50V DIGITAL TRANSISTOR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: SST3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 350 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms.
Інші пропозиції DTC143TCAHZGT116 за ціною від 8.22 грн до 8.5 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DTC143TCAHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||
![]() |
DTC143TCAHZGT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 100...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ кількість в упаковці: 25 шт |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
DTC143TCAHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
DTC143TCAHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 350 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
DTC143TCAHZGT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
DTC143TCAHZGT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; 4.7kΩ Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 100...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ |
товар відсутній |