DTC143EE3HZGTL

DTC143EE3HZGTL Rohm Semiconductor


dtc143ee3hzgtl-e.pdf Виробник: Rohm Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R
на замовлення 2935 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2773+4.39 грн
2858+ 4.26 грн
Мінімальне замовлення: 2773
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC143EE3HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTC143EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTC143EE3HZGTL за ціною від 3.12 грн до 34.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTC143EE3HZGTL DTC143EE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor dtc143ee3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2389+5.1 грн
2618+ 4.65 грн
3062+ 3.98 грн
3226+ 3.64 грн
6000+ 3.15 грн
Мінімальне замовлення: 2389
DTC143EE3HZGTL DTC143EE3HZGTL Виробник : ROHM dtc143ee3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTC143EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+12.82 грн
500+ 10.13 грн
1000+ 4.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTC143EE3HZGTL DTC143EE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC143EE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+17.66 грн
26+ 11.38 грн
100+ 7.61 грн
500+ 5.49 грн
1000+ 4.93 грн
Мінімальне замовлення: 18
DTC143EE3HZGTL DTC143EE3HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTC143EE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5593 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+26.99 грн
20+ 16.49 грн
100+ 6.67 грн
1000+ 5.68 грн
3000+ 3.76 грн
9000+ 3.12 грн
Мінімальне замовлення: 13
DTC143EE3HZGTL DTC143EE3HZGTL Виробник : ROHM dtc143ee3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTC143EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2820 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+34.23 грн
32+ 25.08 грн
100+ 12.82 грн
500+ 10.13 грн
1000+ 4.03 грн
Мінімальне замовлення: 24
DTC143EE3HZGTL DTC143EE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTC143EE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності