DTC123JUBHZGTL Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 1921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 16.34 грн |
| 28+ | 10.72 грн |
| 100+ | 5.21 грн |
| 500+ | 4.08 грн |
| 1000+ | 2.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC123JUBHZGTL Rohm Semiconductor
Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-85, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3F, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції DTC123JUBHZGTL за ціною від 2.3 грн до 17.37 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTC123JUBHZGTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN SOT-323FL 2.2kO Input Resist |
на замовлення 859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC123JUBHZGTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товар відсутній |