![DTC123JCAT116 DTC123JCAT116](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3SOT23-40.jpg)
DTC123JCAT116 ROHM
![2703427.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ROHM - DTC123JCAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC123J Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 3.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC123JCAT116 ROHM
Description: ROHM - DTC123JCAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTC123J Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DTC123JCAT116 за ціною від 2.11 грн до 20.58 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DTC123JCAT116 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 350mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTC123J Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 771 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTC123JCAT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 396 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTC123JCAT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTC123JCAT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTC123JCAT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||
![]() |
DTC123JCAT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 Frequency: 250MHz кількість в упаковці: 25 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DTC123JCAT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DTC123JCAT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 80 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Mounting: SMD Case: SOT23 Frequency: 250MHz |
товар відсутній |