DTC123EMT2L Rohm Semiconductor
на замовлення 6870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6494+ | 1.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC123EMT2L Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V, Supplier Device Package: VMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms.
Інші пропозиції DTC123EMT2L за ціною від 4.22 грн до 30.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTC123EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DTC123EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 6788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DTC123EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DTC123EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DTC123EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
на замовлення 1526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DTC123EMT2L | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors DGTL NPN 50V 100MA |
на замовлення 7006 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| DTC123EMT2L | Виробник : ROHM |
05+ SOT523 |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| DTC123EMT2L | Виробник : ROHM |
SOT523-22 PB-FRE |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
DTC123EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
товар відсутній |