DTC115TKAT146 Rohm Semiconductor
на замовлення 5994 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3113+ | 3.87 грн |
| 3206+ | 3.76 грн |
| 5000+ | 3.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC115TKAT146 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: SMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 100 kOhms.
Інші пропозиції DTC115TKAT146 за ціною від 2.52 грн до 13.69 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTC115TKAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms |
на замовлення 2916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DTC115TKA T146 | Виробник : ROHM | SOT23/SOT323 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
|
|
DTC115TKAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms |
товар відсутній |
|||||||||||||
| DTC115TKAT146 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA |
товар відсутній |