DTC115GUAT106 Rohm Semiconductor
на замовлення 2560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2505+ | 4.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC115GUAT106 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms.
Інші пропозиції DTC115GUAT106 за ціною від 4.42 грн до 17.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTC115GUAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms |
на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
DTC115GUAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
DTC115GUAT106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN 50V 100MA |
товар відсутній |