DTC115GU3HZGT106

DTC115GU3HZGT106 Rohm Semiconductor


Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTC115GU3HZGT106 Rohm Semiconductor

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DTC115GU3HZGT106 за ціною від 2.84 грн до 28.48 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTC115GU3HZGT106 DTC115GU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.1 грн
18+ 17.37 грн
100+ 8.46 грн
500+ 6.62 грн
1000+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTC115GU3HZGT106 DTC115GU3HZGT106 Виробник : ROHM Semiconductor ROHM_S_A0007910659_1-2562385.pdf Digital Transistors Automotive NPN 100mA 50V Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) - DTC115GU3HZG is an digital transistor (Resistor built-in type transistor). Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit withou
на замовлення 2999 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.48 грн
17+ 19.34 грн
100+ 6.88 грн
1000+ 4.83 грн
3000+ 3.55 грн
9000+ 2.98 грн
24000+ 2.84 грн
Мінімальне замовлення: 12
DTC115GU3HZGT106 Виробник : Rohm Semiconductor Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive AEC-Q101 3-Pin UMT T/R
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)