DTC115EMT2L Rohm Semiconductor
на замовлення 6350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5792+ | 2.11 грн |
6000+ | 2.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC115EMT2L Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V, Supplier Device Package: VMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms.
Інші пропозиції DTC115EMT2L за ціною від 3.95 грн до 28.31 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DTC115EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC115EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC115EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC115EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin VMT T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC115EMT2L | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V VMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: VMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms |
на замовлення 10803 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC115EMT2L | Виробник : ROHM Semiconductor | Digital Transistors DGTL NPN 50V 20MA |
на замовлення 9369 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTC115EMT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 100kΩ Case: SOT723 Mounting: SMD Frequency: 250MHz Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 100kΩ Base-emitter resistor: 100kΩ Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 82 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN кількість в упаковці: 20 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DTC115EMT2L | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SOT723; R1: 100kΩ Case: SOT723 Mounting: SMD Frequency: 250MHz Kind of package: reel; tape Power dissipation: 0.15W Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Base resistor: 100kΩ Base-emitter resistor: 100kΩ Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 82 Collector current: 0.1A Type of transistor: NPN |
товар відсутній |