DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor
на замовлення 91312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3650+ | 3.35 грн |
| 3659+ | 3.34 грн |
| 4286+ | 2.85 грн |
| 4505+ | 2.62 грн |
| 6000+ | 2.26 грн |
| 12000+ | 2.17 грн |
| 24000+ | 2.05 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC114YUAT106 Rohm Semiconductor
Description: ROHM - DTC114YUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Produktpalette: DTC114Y Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції DTC114YUAT106 за ціною від 2.08 грн до 19.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DTC114YUAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
 Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 42570 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DTC114YUAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
DTC114YUAT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS NPN 200MW UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 8695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
DTC114YUAT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTC114YUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Produktpalette: DTC114Y Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
|
|
DTC114YUAT106 | Виробник : ROHM |
Description: ROHM - DTC114YUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 100mA usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Produktpalette: DTC114Y Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
| DTC114YUAT106 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
DTC114YUAT106 NPN SMD transistors |
товар відсутній |
||||||||||||||||
 |
DTC114YUAT106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Bipolar Transistors - Pre-Biased DIGIT NPN 50V 100MA SOT-323 |
товар відсутній |