DTC114WU3HZGT106 Rohm Semiconductor
Виробник: Rohm SemiconductorDescription: NPN, SOT-323, R1R2 LEAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 4.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC114WU3HZGT106 Rohm Semiconductor
Description: NPN, SOT-323, R1R2 LEAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: UMT3, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції DTC114WU3HZGT106 за ціною від 3.02 грн до 25.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DTC114WU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC114WU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC114WU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DTC114WU3HZGT106 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: NPN, SOT-323, R1R2 LEAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 24 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DTC114WU3HZGT106 | Виробник : ROHM Semiconductor |
Digital Transistors NPN, SOT-323, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) for automotive : DTC114WU3HZG is an digital transistor (Resistor built-in type transistor), suitable for inverter and interface, driver. Th |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|