![DTB543ZE3TL DTB543ZE3TL](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/5652/846%7EEMT3%7EE%7E3.jpg)
DTB543ZE3TL Rohm Semiconductor
![datasheet?p=DTB543ZE3&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key](/images/adobe-acrobat.png)
Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V
Supplier Device Package: EMT3
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 260 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 7.41 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTB543ZE3TL Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 12V 0.5A EMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V, Supplier Device Package: EMT3, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V, Power - Max: 150 mW, Frequency - Transition: 260 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції DTB543ZE3TL за ціною від 5.83 грн до 38.02 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DTB543ZE3TL | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
DTB543ZE3TL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTB543ZE3TL | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 140hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA usEccn: EAR99 Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 12V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTB543ZE3TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 2V Supplier Device Package: EMT3 Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V Power - Max: 150 mW Frequency - Transition: 260 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTB543ZE3TL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |