Продукція > ROHM > DTB123YCHZGT116
DTB123YCHZGT116

DTB123YCHZGT116 ROHM


dtb123ychzg-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTB123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: 0
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 0
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2700 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.87 грн
1000+ 2.52 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTB123YCHZGT116 ROHM

Description: ROHM - DTB123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: 0, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 0, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTB123YCHZGT116 за ціною від 1.55 грн до 20.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTB123YCHZGT116 DTB123YCHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor dtb123ychzg-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4002 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2565+4.7 грн
2646+ 4.56 грн
Мінімальне замовлення: 2565
DTB123YCHZGT116 DTB123YCHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor dtb123ychzg-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 500mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2113+5.71 грн
2312+ 5.22 грн
2703+ 4.46 грн
2852+ 4.08 грн
Мінімальне замовлення: 2113
DTB123YCHZGT116 DTB123YCHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTB123YCHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
19+16.73 грн
27+ 11.06 грн
100+ 5.39 грн
Мінімальне замовлення: 19
DTB123YCHZGT116 DTB123YCHZGT116 Виробник : ROHM Semiconductor dtb123ychzg_e-1872600.pdf Digital Transistors PNP SOT-23 2.2kO Input Resist
на замовлення 3338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+18.29 грн
27+ 12.37 грн
100+ 4.36 грн
1000+ 3.09 грн
3000+ 1.69 грн
9000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 18
DTB123YCHZGT116 DTB123YCHZGT116 Виробник : ROHM dtb123ychzg-e.pdf Description: ROHM - DTB123YCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: 0
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 0
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
39+20.26 грн
58+ 13.72 грн
146+ 5.4 грн
500+ 3.87 грн
1000+ 2.52 грн
Мінімальне замовлення: 39
DTB123YCHZGT116 DTB123YCHZGT116 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTB123YCHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
DTB123YCHZGT116 DTB123YCHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTB123YCHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DTB123YCHZGT116 DTB123YCHZGT116 Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=DTB123YCHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.5A; 200mW; SOT23; R1: 2.2kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Current gain: 56
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Base resistor: 2.2kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
товар відсутній