![DTB123TCHZGT116 DTB123TCHZGT116](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3SOT23-40.jpg)
DTB123TCHZGT116 ROHM
![dtb123tchzg-e.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ROHM - DTB123TCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 13.93 грн |
148+ | 5.38 грн |
500+ | 4.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTB123TCHZGT116 ROHM
Description: ROHM - DTB123TCHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DTB123TCHZGT116 за ціною від 3.1 грн до 21.4 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DTB123TCHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DTB123TCHZGT116 | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 667 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DTB123TCHZGT116 | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DTB123TCHZGT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 40V; 0.5A; 200mW; SOT23; 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 100...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 2.2kΩ кількість в упаковці: 20 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
DTB123TCHZGT116 | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 5V Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 200 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
DTB123TCHZGT116 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 40V; 0.5A; 200mW; SOT23; 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 100...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Base resistor: 2.2kΩ |
товар відсутній |