Продукція > ROHM > DTB123ECHZGT116
DTB123ECHZGT116

DTB123ECHZGT116 ROHM


dtb123echzg-e.pdf Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTB123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1964 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.11 грн
1000+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTB123ECHZGT116 ROHM

Description: ROHM - DTB123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTB123ECHZGT116 за ціною від 1.56 грн до 20.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTB123ECHZGT116 DTB123ECHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTB123ECHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+16.02 грн
32+ 9.41 грн
100+ 5.85 грн
500+ 4.02 грн
1000+ 3.54 грн
Мінімальне замовлення: 20
DTB123ECHZGT116 DTB123ECHZGT116 Виробник : ROHM dtb123echzg-e.pdf Description: ROHM - DTB123ECHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 500 mA, 2.2 kohm, 2.2 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 39hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 2.2kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
41+19.55 грн
68+ 11.71 грн
152+ 5.22 грн
500+ 4.11 грн
1000+ 1.56 грн
Мінімальне замовлення: 41
DTB123ECHZGT116 DTB123ECHZGT116 Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTB123ECHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Bipolar Transistors - Pre-Biased PNP SOT-23 2.2kO Input Resist
на замовлення 5479 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
16+20.66 грн
24+ 13.71 грн
100+ 4.94 грн
1000+ 3.39 грн
3000+ 2.89 грн
9000+ 2.26 грн
24000+ 2.12 грн
Мінімальне замовлення: 16
DTB123ECHZGT116 DTB123ECHZGT116 Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTB123ECHZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 0.5A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 39 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності