Продукція > ROHM > DTA143ZEBHZGTL
DTA143ZEBHZGTL

DTA143ZEBHZGTL ROHM


ROHM-S-A0008265263-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: ROHM
Description: ROHM - DTA143ZEBHZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: 0
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 0
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2790 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+3.44 грн
1000+ 1.69 грн
Мінімальне замовлення: 500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA143ZEBHZGTL ROHM

Description: ROHM - DTA143ZEBHZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: 0, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416FL, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 0, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTA143ZEBHZGTL за ціною від 1.69 грн до 14.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTA143ZEBHZGTL DTA143ZEBHZGTL Виробник : Rohm Semiconductor dta114eefra-e.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13.69 грн
32+ 9.22 грн
100+ 4.5 грн
500+ 3.52 грн
1000+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 23
DTA143ZEBHZGTL DTA143ZEBHZGTL Виробник : ROHM ROHM-S-A0008265263-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ROHM - DTA143ZEBHZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: 0
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 0
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
56+14.11 грн
87+ 9.15 грн
143+ 5.52 грн
500+ 3.44 грн
1000+ 1.69 грн
Мінімальне замовлення: 56
DTA143ZEBHZGTL DTA143ZEBHZGTL Виробник : Rohm Semiconductor dta114eefra-e.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 0.1A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товар відсутній
DTA143ZEBHZGTL DTA143ZEBHZGTL Виробник : ROHM Semiconductor ROHM_S_A0008265263_1-2562136.pdf Digital Transistors PNP SOT-416FL 4.7kO Input Resist
товар відсутній