DTA143ZE3HZGTL

DTA143ZE3HZGTL Rohm Semiconductor


datasheet?p=DTA143ZE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Виробник: Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+5.11 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DTA143ZE3HZGTL Rohm Semiconductor

Description: ROHM - DTA143ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DTA143ZE3HZGTL за ціною від 3.55 грн до 34.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DTA143ZE3HZGTL DTA143ZE3HZGTL Виробник : ROHM dta143ze3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTA143ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+12.82 грн
500+ 10.13 грн
1000+ 4.03 грн
2000+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
DTA143ZE3HZGTL DTA143ZE3HZGTL Виробник : ROHM Semiconductor datasheet?p=DTA143ZE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Digital Transistors PNP, SOT-416, R1?R2 Leak Absorption Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+26.99 грн
20+ 16.49 грн
100+ 6.67 грн
1000+ 5.68 грн
3000+ 4.4 грн
9000+ 3.76 грн
24000+ 3.55 грн
Мінімальне замовлення: 13
DTA143ZE3HZGTL DTA143ZE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor dta143ze3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
447+27.29 грн
883+ 13.79 грн
953+ 12.78 грн
1081+ 10.86 грн
1455+ 7.47 грн
2000+ 6.8 грн
3000+ 6.04 грн
Мінімальне замовлення: 447
DTA143ZE3HZGTL DTA143ZE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor datasheet?p=DTA143ZE3HZG&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3003 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+28.41 грн
16+ 19.15 грн
100+ 9.66 грн
500+ 7.39 грн
1000+ 5.49 грн
Мінімальне замовлення: 11
DTA143ZE3HZGTL DTA143ZE3HZGTL Виробник : ROHM dta143ze3hzgtl-e.pdf Description: ROHM - DTA143ZE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+34.08 грн
32+ 25 грн
100+ 12.82 грн
500+ 10.13 грн
1000+ 4.03 грн
2000+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 24
DTA143ZE3HZGTL DTA143ZE3HZGTL Виробник : Rohm Semiconductor dta143ze3hzgtl-e.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin EMT T/R
на замовлення 2760 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)