DTA123EKAT146 Rohm Semiconductor
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1324+ | 9.24 грн |
1369+ | 8.94 грн |
2500+ | 8.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA123EKAT146 Rohm Semiconductor
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V, Supplier Device Package: SMT3, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms.
Інші пропозиції DTA123EKAT146 за ціною від 2.4 грн до 23.7 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DTA123EKAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
на замовлення 2539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTA123EKAT146 | Виробник : ROHM Semiconductor | Digital Transistors PNP 50V 100MA |
на замовлення 4452 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTA123EKAT146 | Виробник : Rohm | Транзистор PNP; Ptot,Вт = 0.2; VCEO,В = 50; Ic = 100 мА; Тип монт. = smd; ft,МГц = 250; hFE = 20 @ 20 мА, 5 В; VCEO(sat),В @ Ic, Ib = 0.3V @ 500 мкА, 10 мА; Тэксп, °С = -55...+150; R1 = 2.2 кОм; R2= 2.2 кОм; SOT-346 |
на замовлення 400 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DTA123EKAT146 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 20 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ кількість в упаковці: 20 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DTA123EKAT146 | Виробник : Rohm Semiconductor |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20mA, 5V Supplier Device Package: SMT3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 2.2 kOhms |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
DTA123EKAT146 | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC59; SOT346 Current gain: 20 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 2.2kΩ |
товар відсутній |