![DTA023JUBTL DTA023JUBTL](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3SC8907-40.jpg)
DTA023JUBTL ROHM
![dta023jubtl-e.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ROHM - DTA023JUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTA023J Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
500+ | 2.78 грн |
1000+ | 1.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTA023JUBTL ROHM
Description: ROHM - DTA023JUBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-323FL, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DTA023J Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DTA023JUBTL за ціною від 1.69 грн до 22.14 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DTA023JUBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 5410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA023JUBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() |
на замовлення 19155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA023JUBTL | Виробник : ROHM |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323FL Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DTA023J Series productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA023JUBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DTA023JUBTL | Виробник : ROHM Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1420 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
DTA023JUBTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323F; R1: 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323F Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ кількість в упаковці: 25 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
![]() |
DTA023JUBTL | Виробник : Rohm Semiconductor |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-85 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: UMT3F Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
DTA023JUBTL | Виробник : ROHM SEMICONDUCTOR |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323F; R1: 2.2kΩ Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323F Current gain: 80 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ |
товар відсутній |