DSS5160FDB-7

DSS5160FDB-7 Diodes Zetex


dss5160fdb.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 60V 1A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DSS5160FDB-7 Diodes Zetex

Description: TRANS 2-PNP 1A 60V U-DFN2020-6, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: 2 PNP (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 405mW, Current - Collector (Ic) (Max): 1A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 50mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V, Frequency - Transition: 65MHz, Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B).

Інші пропозиції DSS5160FDB-7 за ціною від 11.67 грн до 46.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DSS5160FDB-7 DSS5160FDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DSS5160FDB.pdf Description: TRANS 2-PNP 1A 60V U-DFN2020-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 405mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+14.38 грн
6000+ 13.14 грн
9000+ 12.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DSS5160FDB-7 DSS5160FDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DSS5160FDB.pdf Description: TRANS 2-PNP 1A 60V U-DFN2020-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 405mW
Current - Collector (Ic) (Max): 1A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 65MHz
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
на замовлення 29940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+42.58 грн
10+ 35.07 грн
100+ 24.41 грн
500+ 17.89 грн
1000+ 14.54 грн
Мінімальне замовлення: 8
DSS5160FDB-7 DSS5160FDB-7 Виробник : Diodes Incorporated DSS5160FDB.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Low Sat Transistor
на замовлення 2156 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+46.49 грн
10+ 39.2 грн
100+ 25.44 грн
500+ 20.03 грн
1000+ 15.46 грн
3000+ 12.16 грн
9000+ 11.67 грн
Мінімальне замовлення: 8
DSS5160FDB-7 DSS5160FDB-7 Виробник : Diodes Zetex dss5160fdb.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній
DSS5160FDB-7 DSS5160FDB-7 Виробник : Diodes Inc 118dss5160fdb.pdf Trans GP BJT PNP 60V 1A 6-Pin UDFN EP T/R
товар відсутній