![DSEI2X30-12B DSEI2X30-12B](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/35/5B/A0/00/0/701779_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=1b65a09142ebd0f3790e25093d6401764e2cb955)
DSEI2X30-12B IXYS
![DSEI2X30-12B.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 27Ax2; SOT227B; screw
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 27A x2
Semiconductor structure: double independent
Max. forward impulse current: 375A
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 2.2V
Type of module: diode
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1617.53 грн |
2+ | 1419.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DSEI2X30-12B IXYS
Description: DIODE MOD GP 1.2KV 28A SOT227B, Packaging: Tube, Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC, Mounting Type: Chassis Mount, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 60 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 2 Independent, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 28A, Supplier Device Package: SOT-227B, Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.55 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1200 V.
Інші пропозиції DSEI2X30-12B за ціною від 1410.04 грн до 2046.49 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DSEI2X30-12B | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC Mounting Type: Chassis Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 60 ns Technology: Standard Diode Configuration: 2 Independent Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 28A Supplier Device Package: SOT-227B Operating Temperature - Junction: -40°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.55 V @ 30 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 750 µA @ 1200 V |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DSEI2X30-12B | Виробник : IXYS |
![]() Description: Module: diode; double independent; 1.2kV; If: 27Ax2; SOT227B; screw Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 27A x2 Semiconductor structure: double independent Max. forward impulse current: 375A Case: SOT227B Max. forward voltage: 2.2V Type of module: diode Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 18 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DSEI2X30-12B | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 106 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
DSEI2X30-12B | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
DSEI2X30-12B | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||
![]() |
DSEI2X30-12B | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |