![DS1230Y-85+ DS1230Y-85+](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/192/Mfg_175%7E21-0245%7E%7E28.jpg)
DS1230Y-85+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
![DS1230AB-DS1230Y.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 85ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 85 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 276 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2220.91 грн |
12+ | 2011.25 грн |
36+ | 1941.4 грн |
60+ | 1764.33 грн |
108+ | 1553.1 грн |
252+ | 1511.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230Y-85+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-85+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 85 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 85ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DS1230Y-85+ за ціною від 2253.91 грн до 2396.98 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DS1230Y-85+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
![]() tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 85ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023) |
на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
![]() |
DS1230Y-85+ | Виробник : Maxim |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
DS1230Y-85+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
DS1230Y-85 | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 85ns Memory Interface: Parallel Access Time: 85 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
DS1230Y-85+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
![]() |
товар відсутній |
|||||||
![]() |
DS1230Y-85 | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
![]() |
товар відсутній |