![DS1230Y-100+ DS1230Y-100+](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/896bf41bc00d8b6e8c3142b87cb2c88e8e0413b/pdipn-28.jpg)
DS1230Y-100+ Analog Devices, Inc.
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
24+ | 1346.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230Y-100+ Analog Devices, Inc.
Description: ANALOG DEVICES - DS1230Y-100+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, Parallel, 100 ns, DIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: DIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: -, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: Parallel, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DS1230Y-100+ за ціною від 1450.5 грн до 2437.92 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DS1230Y-100+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
![]() |
на замовлення 48 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
DS1230Y-100+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
![]() tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: DIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 100ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: Parallel Betriebstemperatur, min.: 0°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023) |
на замовлення 190 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
DS1230Y-100+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
![]() |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
DS1230Y-100+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
DS1230Y-100+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
![]() |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
DS1230Y-100 | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
DS1230Y-100 | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
DS1230Y-100 | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 19224 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
DS1230Y-100 | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 124 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
DS1230Y-100 | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
DS1230Y100 | Виробник : DALLAS |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
DS1230Y-100+ | Виробник : Maxim |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||
![]() |
DS1230Y-100+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
DS1230Y-100+ | Виробник : Maxim |
![]() кількість в упаковці: 12 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
![]() |
DS1230Y-100 | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
DS1230Y-100+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
DS1230Y-100 | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
DS1230Y-100+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
![]() |
товар відсутній |