![DS1230AB-70IND+ DS1230AB-70IND+](https://static6.arrow.com/aropdfconversion/arrowimages/896bf41bc00d8b6e8c3142b87cb2c88e8e0413b/pdipn-28.jpg)
DS1230AB-70IND+ Analog Devices, Inc.
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1190.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230AB-70IND+ Analog Devices, Inc.
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-70IND+ - NVRAM, SRAM, 256 Kbit, 32K x 8 Bit, 70 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 70ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Speichergröße: 256Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DS1230AB-70IND+ за ціною від 1475.83 грн до 2340.94 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DS1230AB-70IND+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DS1230AB-70IND+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
![]() tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 70ns Speicherkonfiguration NVRAM: 32K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.75V euEccn: NLR Speichergröße: 256Kbit Anzahl der Pins: 28Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.25V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023) |
на замовлення 29 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DS1230AB-70IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
![]() |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
DS1230AB-70IND | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DS1230AB-70IND | Виробник : DS |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
DS1230AB-70IND+ | Виробник : Maxim |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
DS1230AB-70IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
DS1230AB-70IND+ | Виробник : Maxim |
![]() кількість в упаковці: 12 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
![]() |
DS1230AB-70IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 70ns Memory Interface: Parallel Access Time: 70 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
DS1230AB-70IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
![]() |
товар відсутній |