DS1230AB-200IND Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 256Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 28-EDIP
Part Status: Obsolete
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 32K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 18+ | 1297.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230AB-200IND Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP, Packaging: Tube, Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm), Mounting Type: Through Hole, Memory Size: 256Kbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V, Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Memory Format: NVSRAM, Supplier Device Package: 28-EDIP, Part Status: Obsolete, Write Cycle Time - Word, Page: 200ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 200 ns, Memory Organization: 32K x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.
Інші пропозиції DS1230AB-200IND
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| DS1230AB-200IND+ | Виробник : DALLAS |
09+ |
на замовлення 384 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| DS1230AB-200IND | Виробник : DALLAS |
99/00+ |
на замовлення 2974 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
| DS1230AB-200IND | Виробник : DALLAS |
DIP-28 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
|
|
DS1230AB-200IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT PAR 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
 |
DS1230AB-200IND+ | Виробник : Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 256KBIT 200NS 28EDIP |
товар відсутній |
|
 |
DS1230AB-200IND+ | Виробник : Maxim Integrated |
NVRAM 256k Nonvolatile SRAM |
товар відсутній |