![DS1230AB-120IND+ DS1230AB-120IND+](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/2515425-40.jpg)
DS1230AB-120IND+ ANALOG DEVICES
![datasheet?ADICID=SYND_WW_P682800_PF-spglobal](/images/adobe-acrobat.png)
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 256kB, 32Kx8Bit, 120ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28
tariffCode: 85423245
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: 0
Speicherdichte: 256Kbit
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 4.75V
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.25V
Schnittstellen: Parallel
Zugriffszeit für Schreiben: 120ns
Zugriffszeit für Lesen: 120ns
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2380.56 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1230AB-120IND+ ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1230AB-120IND+ - Nichtflüchtiger SRAM (NVSRAM), 256kB, 32Kx8Bit, 120ns Lesen/Schreiben, parallel, 4.75-5.25V, EDIP-28, tariffCode: 85423245, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, IC-Gehäuse / Bauform: 0, Speicherdichte: 256Kbit, MSL: -, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.75V, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.25V, Schnittstellen: Parallel, Zugriffszeit für Schreiben: 120ns, Zugriffszeit für Lesen: 120ns, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 32K x 8 Bit, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DS1230AB-120IND+
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
DS1230AB-120IND | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
DS1230AB-120IND+ | Виробник : Maxim |
![]() |
товар відсутній |
||
![]() |
DS1230AB-120IND+ | Виробник : Analog Devices, Inc. |
![]() |
товар відсутній |
|
DS1230AB-120IND+ | Виробник : Maxim |
![]() кількість в упаковці: 12 шт |
товар відсутній |
||
![]() |
DS1230AB-120IND | Виробник : Maxim Integrated |
![]() |
товар відсутній |
|
![]() |
DS1230AB-120IND+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 256Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.75V ~ 5.25V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 120ns Memory Interface: Parallel Access Time: 120 ns Memory Organization: 32K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|
![]() |
DS1230AB-120IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
![]() |
товар відсутній |