DS1225AD-200+ ANALOG DEVICES
Виробник: ANALOG DEVICESDescription: ANALOG DEVICES - DS1225AD-200+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 200 ns, EDIP
tariffCode: 85423245
Bauform - Speicherbaustein: EDIP
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Zugriffszeit: 200ns
Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit
IC-Schnittstelle: -
Betriebstemperatur, min.: 0°C
Versorgungsspannung, min.: 4.5V
euEccn: NLR
Speichergröße: 64Kbit
Anzahl der Pins: 28Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, max.: 5.5V
Betriebstemperatur, max.: 70°C
Speicher: SRAM
SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1787.56 грн |
| 12+ | 1661.74 грн |
| 36+ | 1643.54 грн |
| 108+ | 1304.24 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1225AD-200+ ANALOG DEVICES
Description: ANALOG DEVICES - DS1225AD-200+ - NVRAM, SRAM, 64 Kbit, 8K x 8 Bit, 200 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 200ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 8K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: 0°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 64Kbit, Anzahl der Pins: 28Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 70°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DS1225AD-200+ за ціною від 1204.82 грн до 1827.49 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1225AD-200+ | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 64KBIT PARALLEL 28EDIP Packaging: Tube Package / Case: 28-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 64Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 28-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 8K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
на замовлення 1208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| DS1225AD-200 | Виробник : DALLAS |
07+ DIP |
на замовлення 708 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| DS1225AD-200 | Виробник : DALLAS |
08+ DIP |
на замовлення 558 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| DS1225AD-200 | Виробник : DALLAS |
09+ |
на замовлення 384 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
| DS1225AD-200 | Виробник : DALLAS |
09+ DIP |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
 |
DS1225AD-200+ | Виробник : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 64kbSRAM; 8kx8bit; 4.5÷5.5V; 200ns; DIP28 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: DIP28 Mounting: THT Memory: 64kb SRAM Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 200ns Kind of memory: NV SRAM Memory organisation: 8kx8bit Kind of interface: parallel кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| DS1225AD-200+ | Виробник : Maxim |
64K Nonvolatile SRAM DS1225 кількість в упаковці: 12 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
DS1225AD-200 | Виробник : Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 64K PARALLEL 28EDIP |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
DS1225AD-200+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 64k Nonvolatile SRAM |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DS1225AD-200+ | Виробник : Analog Devices (MAXIM INTEGRATED) |
Category: Parallel SRAM memories - integ. circ. Description: IC: SRAM memory; 64kbSRAM; 8kx8bit; 4.5÷5.5V; 200ns; DIP28 Type of integrated circuit: SRAM memory Case: DIP28 Mounting: THT Memory: 64kb SRAM Operating voltage: 4.5...5.5V Access time: 200ns Kind of memory: NV SRAM Memory organisation: 8kx8bit Kind of interface: parallel |
товар відсутній |