![DS1220AD-200IND+ DS1220AD-200IND+](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1159/24-EDIP.jpg)
DS1220AD-200IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
![DS1220AB-DS1220AD.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 24-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 2K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1325.21 грн |
10+ | 1180.87 грн |
25+ | 1164.87 грн |
50+ | 1079.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1220AD-200IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AD-200IND+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 200 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 200ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 16Kbit, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DS1220AD-200IND+ за ціною від 1497.29 грн до 1497.29 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DS1220AD-200IND+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
![]() tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 200ns Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 16Kbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023) |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
DS1220AD-200IND | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 448 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
DS1220AD-200IND | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 202 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
DS1220AD-200IND | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
DS1220AD-200IND+ | Виробник : Maxim |
![]() кількість в упаковці: 14 шт |
товар відсутній |
||||||
DS1220AD-200IND+ | Виробник : Maxim |
![]() |
товар відсутній |
||||||
![]() |
DS1220AD-200IND+ | Виробник : Maxim Integrated Products |
![]() |
товар відсутній |
|||||
![]() |
DS1220AD-200IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 16Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 24-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 2K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||
![]() |
DS1220AD-200IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
![]() |
товар відсутній |