DS1220AD-200IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Виробник: Analog Devices Inc./Maxim IntegratedDescription: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 24-EDIP
Write Cycle Time - Word, Page: 200ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 200 ns
Memory Organization: 2K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 74 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1292.95 грн |
| 10+ | 1152.13 грн |
| 25+ | 1136.52 грн |
| 50+ | 1053.17 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1220AD-200IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AD-200IND+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 200 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 200ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 16Kbit, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024).
Інші пропозиції DS1220AD-200IND+ за ціною від 1122.92 грн до 1746.24 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DS1220AD-200IND+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AD-200IND+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 200 ns, EDIP tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 200ns Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 16Kbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (27-Jun-2024) |
на замовлення 372 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| DS1220AD-200IND | Виробник : DALLAS |
09+ |
на замовлення 448 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| DS1220AD-200IND | Виробник : DALLAS |
DIP |
на замовлення 202 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| DS1220AD-200IND | Виробник : DALLAS |
DIP-24 08+09+ |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||
| DS1220AD-200IND+ | Виробник : Maxim |
MOD 24/I°/16K NONVOLATILE SRAM DS1220MOD кількість в упаковці: 14 шт |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
| DS1220AD-200IND+ | Виробник : Maxim |
NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24-Pin EDIP |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
DS1220AD-200IND+ | Виробник : Maxim Integrated Products |
NVRAM NVSRAM Parallel 16Kbit 5V 24-Pin EDIP |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
DS1220AD-200IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP Packaging: Tube Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 16Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 24-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 200ns Memory Interface: Parallel Access Time: 200 ns Memory Organization: 2K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
DS1220AD-200IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
NVRAM 16k Nonvolatile SRAM |
товару немає в наявності |