![DS1220AD-100IND+ DS1220AD-100IND+](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/1159/24-EDIP.jpg)
DS1220AD-100IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
![DS1220AB-DS1220AD.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: IC NVSRAM 16KBIT PARALLEL 24EDIP
Packaging: Tube
Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm)
Mounting Type: Through Hole
Memory Size: 16Kbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V
Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
Memory Format: NVSRAM
Supplier Device Package: 24-EDIP
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 100ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 100 ns
Memory Organization: 2K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1334.56 грн |
14+ | 1197.43 грн |
28+ | 1184.6 грн |
56+ | 1084.27 грн |
112+ | 951.82 грн |
252+ | 919.72 грн |
504+ | 880.3 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DS1220AD-100IND+ Analog Devices Inc./Maxim Integrated
Description: ANALOG DEVICES - DS1220AD-100IND+ - NVRAM, SRAM, 16 Kbit, 2K x 8 Bit, 100 ns, EDIP, tariffCode: 85423245, Bauform - Speicherbaustein: EDIP, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Zugriffszeit: 100ns, Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit, IC-Schnittstelle: -, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Versorgungsspannung, min.: 4.5V, euEccn: NLR, Speichergröße: 16Kbit, Anzahl der Pins: 24Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Versorgungsspannung, max.: 5.5V, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicher: SRAM, SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023).
Інші пропозиції DS1220AD-100IND+ за ціною від 1066.17 грн до 1351.55 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DS1220AD-100IND+ | Виробник : ANALOG DEVICES |
![]() tariffCode: 85423245 Bauform - Speicherbaustein: EDIP rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Zugriffszeit: 100ns Speicherkonfiguration NVRAM: 2K x 8 Bit IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 4.5V euEccn: NLR Speichergröße: 16Kbit Anzahl der Pins: 24Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 5.5V Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicher: SRAM SVHC: 1,2-dimethoxyethane, ethylene glycol dimethyl ether (EGDME) (14-Jun-2023) |
на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
DS1220AD-100IND | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 448 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
DS1220AD-100IND | Виробник : DALLAS |
![]() |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||
DS1220AD-100IND+ | Виробник : Maxim |
![]() кількість в упаковці: 14 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
DS1220AD-100IND+ | Виробник : Maxim |
![]() |
товар відсутній |
||||||||||||
![]() |
DS1220AD-100IND+ | Виробник : Maxim Integrated Products |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
DS1220AD-100IND | Виробник : Analog Devices Inc./Maxim Integrated |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 24-DIP Module (0.600", 15.24mm) Mounting Type: Through Hole Memory Size: 16Kbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 4.5V ~ 5.5V Technology: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) Memory Format: NVSRAM Supplier Device Package: 24-EDIP Write Cycle Time - Word, Page: 100ns Memory Interface: Parallel Access Time: 100 ns Memory Organization: 2K x 8 DigiKey Programmable: Not Verified |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
DS1220AD-100IND | Виробник : Maxim Integrated |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||
![]() |
DS1220AD-100IND+ | Виробник : Analog Devices / Maxim Integrated |
![]() |
товар відсутній |