Продукція > DIODES INCORPORATED > DRDNB16W-7
DRDNB16W-7

DRDNB16W-7 Diodes Incorporated

ds30573.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+7.21 грн
6000+ 6.37 грн
9000+ 6.08 грн
15000+ 5.39 грн
21000+ 5.21 грн
30000+ 5.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DRDNB16W-7 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DRDNB16W-7 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 600 mA, 1 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DRDNB16W-7 за ціною від 5.96 грн до 31.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DRDNB16W-7 DRDNB16W-7 Виробник : DIODES INC. ds30573.pdf Description: DIODES INC. - DRDNB16W-7 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 600 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+11.86 грн
500+ 10.2 грн
1000+ 8.6 грн
Мінімальне замовлення: 100
DRDNB16W-7 DRDNB16W-7 Виробник : Diodes Incorporated ds30573.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased + Diode
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 2.5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 50mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-363
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 200 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 37015 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+26.87 грн
18+ 17 грн
100+ 11.5 грн
500+ 8.37 грн
1000+ 7.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
DRDNB16W-7 DRDNB16W-7 Виробник : Diodes Incorporated ds30573.pdf Digital Transistors NPN Trans R1-R2 Switch-Relay Drvr
на замовлення 9566 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+28.48 грн
17+ 20.08 грн
100+ 10.29 грн
1000+ 7.17 грн
3000+ 6.25 грн
9000+ 6.1 грн
24000+ 5.96 грн
Мінімальне замовлення: 12
DRDNB16W-7 DRDNB16W-7 Виробник : DIODES INC. ds30573.pdf Description: DIODES INC. - DRDNB16W-7 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 60 V, 600 mA, 1 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 1kohm
Dauer-Kollektorstrom: 600mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 60V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2940 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
26+31.53 грн
39+ 20.78 грн
100+ 11.86 грн
500+ 10.2 грн
1000+ 8.6 грн
Мінімальне замовлення: 26
DRDNB16W-7 DRDNB16W-7 Виробник : Diodes Inc ds30573.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 600mA 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності