![DPG60C200QB DPG60C200QB](https://ce8dc832c.cloudimg.io/v7/_cdn_/B4/6B/A0/00/0/702027_1.jpg?width=640&height=480&wat=1&wat_url=_tme-wrk_%2Ftme_new.png&wat_scale=100p&ci_sign=5361b66f2561a2a94864039e902cd718b47633b7)
DPG60C200QB IXYS
![DPG60C200QB.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 30Ax2; tube; Ifsm: 360A; TO3P; 160W
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 200V
Max. forward voltage: 1.34V
Load current: 30A x2
Semiconductor structure: common cathode; double
Reverse recovery time: 35ns
Max. forward impulse current: 360A
Power dissipation: 160W
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Features of semiconductor devices: fast switching
Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen
Case: TO3P
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 268.28 грн |
3+ | 224.5 грн |
5+ | 170.18 грн |
14+ | 160.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DPG60C200QB IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - DPG60C200QB - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, Epitaxial-Diode (FRED), 200 V, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-3P, Durchlassstoßstrom: 300A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.06V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: DPG60, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції DPG60C200QB за ціною від 192.92 грн до 462.32 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DPG60C200QB | Виробник : IXYS |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 200V; 30Ax2; tube; Ifsm: 360A; TO3P; 160W Mounting: THT Max. off-state voltage: 200V Max. forward voltage: 1.34V Load current: 30A x2 Semiconductor structure: common cathode; double Reverse recovery time: 35ns Max. forward impulse current: 360A Power dissipation: 160W Kind of package: tube Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: fast switching Technology: HiPerFRED™ 2nd Gen Case: TO3P кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 66 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DPG60C200QB | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-3P Durchlassstoßstrom: 300A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.06V Sperrverzögerungszeit: 35ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: DPG60 productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DPG60C200QB | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DPG60C200QB | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
DPG60C200QB | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товар відсутній |