![DNA30E2200PZ-TUB DNA30E2200PZ-TUB](https://www.mouser.com/images/littelfuse/lrg/TO_263_3_SPL.jpg)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 433.36 грн |
10+ | 351.04 грн |
100+ | 272.49 грн |
250+ | 266.22 грн |
500+ | 255.07 грн |
1000+ | 195.83 грн |
2500+ | 193.74 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DNA30E2200PZ-TUB IXYS
Category: SMD universal diodes, Description: Diode: rectifying; SMD; 2.2kV; 30A; TO263ABHV; Ufmax: 1.24V; 210W, Max. forward impulse current: 315A, Kind of package: tube, Type of diode: rectifying, Semiconductor structure: single diode, Load current: 30A, Max. forward voltage: 1.24V, Max. off-state voltage: 2.2kV, Case: TO263ABHV, Features of semiconductor devices: high voltage, Mounting: SMD, Power dissipation: 210W, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції DNA30E2200PZ-TUB
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
DNA30E2200PZ-TUB | Виробник : IXYS |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 2.2kV; 30A; TO263ABHV; Ufmax: 1.24V; 210W Max. forward impulse current: 315A Kind of package: tube Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Load current: 30A Max. forward voltage: 1.24V Max. off-state voltage: 2.2kV Case: TO263ABHV Features of semiconductor devices: high voltage Mounting: SMD Power dissipation: 210W кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
DNA30E2200PZ-TUB | Виробник : IXYS |
![]() Description: Diode: rectifying; SMD; 2.2kV; 30A; TO263ABHV; Ufmax: 1.24V; 210W Max. forward impulse current: 315A Kind of package: tube Type of diode: rectifying Semiconductor structure: single diode Load current: 30A Max. forward voltage: 1.24V Max. off-state voltage: 2.2kV Case: TO263ABHV Features of semiconductor devices: high voltage Mounting: SMD Power dissipation: 210W |
товар відсутній |