Продукція > IXYS > DNA30E2200FE
DNA30E2200FE

DNA30E2200FE IXYS

media?resourcetype=datasheets&itemid=b450a78f-15ed-4d9b-87fd-45be0f83674f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200FE-Datasheet Виробник: IXYS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2.2kV; 30A; tube; Ifsm: 370A; Ufmax: 1.22V
Max. forward impulse current: 370A
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Load current: 30A
Max. forward voltage: 1.22V
Max. off-state voltage: 2.2kV
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024e
Features of semiconductor devices: high voltage
Mounting: THT
Power dissipation: 110W
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+608.24 грн
3+ 404.35 грн
6+ 381.85 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DNA30E2200FE IXYS

Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4-PAC, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-2, IPAK, Mounting Type: Through Hole, Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Technology: Standard, Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 30A, Supplier Device Package: i4-PAC, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V.

Інші пропозиції DNA30E2200FE за ціною від 333.12 грн до 729.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DNA30E2200FE DNA30E2200FE Виробник : IXYS media-3321688.pdf Rectifiers High Voltage Std Rectifier Sngl Diode
на замовлення 175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+668.34 грн
10+ 527.35 грн
100+ 400.72 грн
250+ 381.91 грн
500+ 356.82 грн
1000+ 333.12 грн
DNA30E2200FE DNA30E2200FE Виробник : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=b450a78f-15ed-4d9b-87fd-45be0f83674f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200FE-Datasheet Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 2.2kV; 30A; tube; Ifsm: 370A; Ufmax: 1.22V
Max. forward impulse current: 370A
Kind of package: tube
Type of diode: rectifying
Semiconductor structure: single diode
Load current: 30A
Max. forward voltage: 1.22V
Max. off-state voltage: 2.2kV
Case: ISOPLUS i4-pac™ x024e
Features of semiconductor devices: high voltage
Mounting: THT
Power dissipation: 110W
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 250 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+729.88 грн
3+ 503.89 грн
6+ 458.22 грн
DNA30E2200FE Виробник : IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=b450a78f-15ed-4d9b-87fd-45be0f83674f&filename=Littelfuse-Power-Semiconductors-DNA30E2200FE-Datasheet Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 30A I4-PAC
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-2, IPAK
Mounting Type: Through Hole
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 7pF @ 700V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: i4-PAC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.25 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 40 µA @ 2200 V
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+625.71 грн
25+ 480.64 грн
100+ 430.04 грн
DNA30E2200FE DNA30E2200FE Виробник : Littelfuse dna30e2200fe.pdf Rectifier Diode 2.2KV 30A 2-Pin i4-PAC Tube
товар відсутній