DN3535N8-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 49.1 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN3535N8-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DN3535N8-G за ціною від 45.29 грн до 95.13 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DN3535N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DN3535N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3535N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 350V 230MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 360 pF @ 25 V |
на замовлення 6560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3535N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3535N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 230 mA, 10 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm |
на замовлення 1182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3535N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DN3535N8-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 350V 10Ohm |
на замовлення 15440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3535N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3535N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 48000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DN3535N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3 Mounting: SMD Case: SOT89-3 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 10Ω Drain-source voltage: 350V Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.2A |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3535N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.2A; 1.6W; SOT89-3 Mounting: SMD Case: SOT89-3 Kind of package: reel; tape Polarisation: unipolar Power dissipation: 1.6W Type of transistor: N-MOSFET On-state resistance: 10Ω Drain-source voltage: 350V Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.2A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1755 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
DN3535N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 1815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
DN3535N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
DN3535N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.23A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |