DN3525N8-G Microchip Technology
Виробник: Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2000+ | 45.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN3525N8-G Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V, FET Feature: Depletion Mode, Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.
Інші пропозиції DN3525N8-G за ціною від 42.52 грн до 67.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
DN3525N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
на замовлення 1748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DN3525N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3525N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3525N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3525N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 7797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3525N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 7797 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3525N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Description: MOSFET N-CH 250V 360MA TO243AA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 360mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 200mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V |
на замовлення 8141 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3525N8-G | Виробник : MICROCHIP |
Description: MICROCHIP - DN3525N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 250 V, 360 mA, 6 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 250V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 360mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.6W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6ohm |
на замовлення 1748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
DN3525N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
DN3525N8-G | Виробник : Microchip Technology |
MOSFETs 250V 6Ohm |
на замовлення 131454 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DN3525N8-G Код товару: 165361 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||||
 |
DN3525N8-G | Виробник : Microchip Technology |
Trans MOSFET N-CH Si 250V 0.36A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
 |
DN3525N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3 Mounting: SMD On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.3A Case: SOT89-3 Drain-source voltage: 250V кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||||
|
|
DN3525N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 0.3A; 1.6W; SOT89-3 Mounting: SMD On-state resistance: 6Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 1.6W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.3A Case: SOT89-3 Drain-source voltage: 250V |
товар відсутній |