DN3135N8-G

DN3135N8-G Microchip Technology


20005703A.pdf Виробник: Microchip Technology
Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+42.67 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DN3135N8-G Microchip Technology

Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 350V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 135mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції DN3135N8-G за ціною від 39.85 грн до 66.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : MICROCHIP MCHP-S-A0002954814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: 0
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: 0
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: 0
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 0
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+44.71 грн
Мінімальне замовлення: 100
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+46.88 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+50.1 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+50.74 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+55.89 грн
25+ 55.02 грн
100+ 52.23 грн
250+ 47.59 грн
500+ 44.95 грн
1000+ 44.21 грн
3000+ 43.47 грн
Мінімальне замовлення: 11
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 20005703A.pdf Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 11603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+57.02 грн
25+ 46.48 грн
100+ 41.09 грн
Мінімальне замовлення: 6
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+58.61 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : MICROCHIP MCHP-S-A0002954814-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 350V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+59.37 грн
25+ 50.62 грн
100+ 44.71 грн
Мінімальне замовлення: 14
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 20005703A-3443384.pdf MOSFETs 350V 35Ohm
на замовлення 5272 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+61.75 грн
100+ 51.89 грн
500+ 39.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
190+63.6 грн
Мінімальне замовлення: 190
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+66.41 грн
4000+ 64.71 грн
6000+ 62.95 грн
8000+ 59.19 грн
10000+ 53.35 грн
Мінімальне замовлення: 2000
DN3135N8-G Виробник : SUPERTEX 20005703A.pdf
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY dn3135.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.18A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : Microchip Technology 185filehandler.aspxddocnameen570586.aspxddocnameen570586.pdf Trans MOSFET N-CH Si 350V 0.135A 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
товар відсутній
DN3135N8-G DN3135N8-G Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY dn3135.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 350V
Pulsed drain current: 0.18A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT89-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 35Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: depleted
товар відсутній