![DN3135N8-G DN3135N8-G](https://mm.digikey.com/Volume0/opasdata/d220001/medias/images/2391/C04-029%20MB.jpg)
DN3135N8-G Microchip Technology
![20005703A.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MOSFET N-CH 350V 135MA TO243AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V
FET Feature: Depletion Mode
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2000+ | 42.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN3135N8-G Microchip Technology
Description: MICROCHIP - DN3135N8-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 350 V, 135 mA, 35 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 350V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 135mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-89, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DN3135N8-G за ціною від 39.85 грн до 66.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DN3135N8-G | Виробник : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: 0 Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: 0 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: 0 Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 0 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 135mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35Ohm @ 150mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Supplier Device Package: TO-243AA (SOT-89) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 350 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 120 pF @ 25 V |
на замовлення 11603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3135N8-G | Виробник : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 350V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 135mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 1.3W Bauform - Transistor: SOT-89 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 35ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1999 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 5272 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 26000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
DN3135N8-G | Виробник : SUPERTEX |
![]() |
на замовлення 3790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
DN3135N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.18A Power dissipation: 1.3W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DN3135N8-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
![]() |
DN3135N8-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 350V; 0.18A; 1.3W; SOT89-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 350V Pulsed drain current: 0.18A Power dissipation: 1.3W Case: SOT89-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 35Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: depleted |
товар відсутній |