![DN2470K4-G DN2470K4-G](https://export.farnell.com/productimages/standard/en_GB/GE3TO252-40.jpg)
DN2470K4-G MICROCHIP
![20005410A.pdf](/images/adobe-acrobat.png)
Description: MICROCHIP - DN2470K4-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 700 V, 170 mA, 42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 170mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 7531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
100+ | 58.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DN2470K4-G MICROCHIP
Description: MICROCHIP - DN2470K4-G - Leistungs-MOSFET, DMOS, n-Kanal, 700 V, 170 mA, 42 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 170mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.5W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DN2470K4-G за ціною від 52.08 грн до 97.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DN2470K4-G | Виробник : MICROCHIP |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 42ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 7531 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DN2470K4-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
на замовлення 11804 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DN2470K4-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 0.5A; 2.5W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.5A Drain-source voltage: 700V On-state resistance: 42Ω Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 1571 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DN2470K4-G | Виробник : MICROCHIP TECHNOLOGY |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 0.5A; 2.5W; TO252 Mounting: SMD Case: TO252 Kind of package: reel; tape Power dissipation: 2.5W Polarisation: unipolar Kind of channel: depleted Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 0.5A Drain-source voltage: 700V On-state resistance: 42Ω Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1571 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
DN2470K4-G | Виробник : Microchip Technology / Atmel |
![]() |
на замовлення 37762 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||||||||||||
![]() |
DN2470K4-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
DN2470K4-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 100mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||||
![]() |
DN2470K4-G | Виробник : Microchip Technology |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42Ohm @ 100mA, 0V FET Feature: Depletion Mode Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 0V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V |
товар відсутній |