DMWSH120H90SM4Q Diodes Incorporated
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 886.79 грн |
10+ | 830.05 грн |
30+ | 672.1 грн |
60+ | 634.48 грн |
120+ | 579.84 грн |
270+ | 578.42 грн |
510+ | 524.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMWSH120H90SM4Q Diodes Incorporated
Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 235W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції DMWSH120H90SM4Q за ціною від 1281.92 грн до 1510.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMWSH120H90SM4Q | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-4 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 97.5mOhm @ 20A, 15V Power Dissipation (Max): 235W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-4 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): +19V, -8V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47.6 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1112 pF @ 1000 V |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|