DMWS120H100SM4 Diodes Incorporated
Виробник: Diodes Incorporated
Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 1000 V
Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +19V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 1000 V
на замовлення 1862 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1452.53 грн |
30+ | 1132.29 грн |
120+ | 1065.69 грн |
510+ | 906.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMWS120H100SM4 Diodes Incorporated
Description: SIC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 37.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 208W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +19V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 52 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1516 pF @ 1000 V.
Інші пропозиції DMWS120H100SM4 за ціною від 920.5 грн до 1556.64 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMWS120H100SM4 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFET SiC MOSFET BVDSS: >1000V TO247-4 TUBE 30PS |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
DMWS120H100SM4 | Виробник : Diodes Inc | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 37.2A 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube |
товару немає в наявності |