DMTH8004LPS-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: PowerDI5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 8Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 916 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
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100+ | 93.15 грн |
500+ | 79.1 грн |
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Технічний опис DMTH8004LPS-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.5W, Bauform - Transistor: PowerDI5060, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Інші пропозиції DMTH8004LPS-13 за ціною від 79.1 грн до 148.08 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
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DMTH8004LPS-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8004LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, PowerDI5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 100A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: PowerDI5060 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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DMTH8004LPS-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED | DMTH8004LPS-13 SMD N channel transistors |
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DMTH8004LPS-13 | Виробник : Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 61V~100V PowerDI5060-8 T&R 2.5K |
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