DMTH8001STLW-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 0.0011 ohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 270A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Anzahl der Pins: 8Pins
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 253.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DMTH8001STLW-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 0.0011 ohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 80V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 136W, Anzahl der Pins: 8Pins, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm.
Інші пропозиції DMTH8001STLW-13 за ціною від 253.58 грн до 289.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
DMTH8001STLW-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH8001STLW-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 270 A, 0.0011 ohm, PowerDI 1012, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 136W Anzahl der Pins: 8Pins productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm |
на замовлення 2507 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
| DMTH8001STLW-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1080A; 6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 190A Pulsed drain current: 1.08kA Power dissipation: 6W Case: PowerDI1012-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 138nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1500 шт |
товар відсутній |
||||||||
| DMTH8001STLW-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 190A; Idm: 1080A; 6W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 190A Pulsed drain current: 1.08kA Power dissipation: 6W Case: PowerDI1012-8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 1.7mΩ Mounting: SMD Gate charge: 138nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |