Продукція > DIODES INCORPORATED > DMTH69M8LFVWQ-7
DMTH69M8LFVWQ-7

DMTH69M8LFVWQ-7 Diodes Incorporated

DMTH69M8LFVWQ.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2000+18.38 грн
6000+ 16.77 грн
10000+ 15.53 грн
Мінімальне замовлення: 2000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH69M8LFVWQ-7 Diodes Incorporated

Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-PowerVDFN, Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 45.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 29.4W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA, Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції DMTH69M8LFVWQ-7 за ціною від 18.65 грн до 60.68 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMTH69M8LFVWQ-7 DMTH69M8LFVWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DMTH69M8LFVWQ.pdf Description: MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.9A (Ta), 45.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.6W (Ta), 29.4W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8 (SWP) Type UX
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1925 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+48.66 грн
10+ 40.34 грн
100+ 27.95 грн
500+ 21.91 грн
1000+ 18.65 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMTH69M8LFVWQ-7 DMTH69M8LFVWQ-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0011114909_1-2543712.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V 60V PowerDI3333-8/SWP T&R 2K
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.68 грн
10+ 52.7 грн
100+ 35.63 грн
250+ 34.58 грн
Мінімальне замовлення: 6
DMTH69M8LFVWQ-7 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH69M8LFVWQ.pdf DMTH69M8LFVWQ-7 SMD N channel transistors
товар відсутній