Продукція > DIODES INC. > DMTH61M8LPS-13
DMTH61M8LPS-13

DMTH61M8LPS-13 DIODES INC.

3177139.pdf Виробник: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.0012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+114.65 грн
500+ 99.06 грн
1000+ 84.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH61M8LPS-13 DIODES INC.

Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.0012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 225A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.2W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.2W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0012ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції DMTH61M8LPS-13 за ціною від 69.34 грн до 195.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMTH61M8LPS-13 DMTH61M8LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH61M8LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 225A PWRDI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 187.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 30 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+157.38 грн
Мінімальне замовлення: 2
DMTH61M8LPS-13 DMTH61M8LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0013022882_1-2543885.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8 T&R 2.5K
на замовлення 1633 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+180.5 грн
10+ 147.73 грн
100+ 102.2 грн
250+ 98.65 грн
500+ 86.59 грн
1000+ 73.81 грн
2500+ 69.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
DMTH61M8LPS-13 DMTH61M8LPS-13 Виробник : DIODES INC. 3177139.pdf Description: DIODES INC. - DMTH61M8LPS-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 225 A, 0.0012 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.2W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+195.85 грн
10+ 144.1 грн
100+ 114.65 грн
500+ 99.06 грн
1000+ 84.62 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMTH61M8LPS-13 Виробник : Diodes Inc dmth61m8lps.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 225A 8-Pin PowerDI EP T/R
товару немає в наявності
DMTH61M8LPS-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH61M8LPS.pdf DMTH61M8LPS-13 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
DMTH61M8LPS-13 DMTH61M8LPS-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH61M8LPS.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 225A PWRDI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 225A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 187.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI5060-8
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8320 pF @ 30 V
товару немає в наявності