DMTH6004SK3Q-13

DMTH6004SK3Q-13 Diodes Incorporated


DMTH6004SK3Q.pdf Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+41.12 грн
5000+ 37.71 грн
12500+ 35.97 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMTH6004SK3Q-13 Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 100A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 180W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PW Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції DMTH6004SK3Q-13 за ціною від 36.74 грн до 119.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
DMTH6004SK3Q-13 DMTH6004SK3Q-13 Виробник : Diodes Zetex 644dmth6004sk3q.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 47500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+42.6 грн
Мінімальне замовлення: 2500
DMTH6004SK3Q-13 DMTH6004SK3Q-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002832716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+66.73 грн
500+ 52.55 грн
1000+ 48.3 грн
Мінімальне замовлення: 100
DMTH6004SK3Q-13 DMTH6004SK3Q-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH6004SK3Q.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+80.5 грн
6+ 65.03 грн
16+ 56.81 грн
43+ 53.82 грн
500+ 51.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
DMTH6004SK3Q-13 DMTH6004SK3Q-13 Виробник : DIODES INCORPORATED DMTH6004SK3Q.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 3.9W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Application: automotive industry
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 100A
On-state resistance: 3.8mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 3.9W
Polarisation: unipolar
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+96.6 грн
5+ 81.04 грн
16+ 68.17 грн
43+ 64.58 грн
500+ 61.89 грн
Мінімальне замовлення: 3
DMTH6004SK3Q-13 DMTH6004SK3Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH6004SK3Q.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 100A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8mOhm @ 90A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 180W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4556 pF @ 30 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 51846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+99.36 грн
10+ 78.26 грн
100+ 60.91 грн
500+ 48.46 грн
1000+ 39.47 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMTH6004SK3Q-13 DMTH6004SK3Q-13 Виробник : Diodes Incorporated DMTH6004SK3Q.pdf MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V
на замовлення 2365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+108.84 грн
10+ 88.3 грн
100+ 59.42 грн
500+ 50.38 грн
1000+ 41.05 грн
2500+ 38.61 грн
5000+ 36.74 грн
Мінімальне замовлення: 4
DMTH6004SK3Q-13 DMTH6004SK3Q-13 Виробник : DIODES INC. DIOD-S-A0002832716-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - DMTH6004SK3Q-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 180W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+119.14 грн
10+ 90.96 грн
100+ 66.73 грн
500+ 52.55 грн
1000+ 48.3 грн
Мінімальне замовлення: 7
DMTH6004SK3Q-13 DMTH6004SK3Q-13 Виробник : Diodes Zetex 644dmth6004sk3q.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
DMTH6004SK3Q-13 DMTH6004SK3Q-13 Виробник : Diodes Inc 644dmth6004sk3q.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 100A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній