DMTH6002LPSWQ-13 DIODES INC.
Виробник: DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 3.13W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.13W
Bauform - Transistor: PowerDI 5060
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 6270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 114.65 грн |
| 500+ | 92.41 грн |
| 1000+ | 84.62 грн |
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Технічний опис DMTH6002LPSWQ-13 DIODES INC.
Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 3.13W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 3.13W, Bauform - Transistor: PowerDI 5060, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0015ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DMTH6002LPSWQ-13 за ціною від 84.62 грн до 195.85 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
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DMTH6002LPSWQ-13 | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - DMTH6002LPSWQ-13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 0.0015 ohm, PowerDI 5060, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.13W Bauform - Transistor: PowerDI 5060 Anzahl der Pins: 8Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0015ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
на замовлення 6270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| DMTH6002LPSWQ-13 | Виробник : DIODES INCORPORATED | DMTH6002LPSWQ-13 SMD N channel transistors |
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